碲化鋅晶體 太赫茲晶體 ZnTe晶體 ZnTe crystal
價(jià) 格：詢價(jià)
產(chǎn) 地：俄羅斯更新時(shí)間：2020-10-30 13:54
品 牌：屹持光電技術(shù)型 號(hào)：ZnTe
狀 態(tài)：正常點(diǎn)擊量：2853
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背景知識(shí)
利用光整流效應(yīng)產(chǎn)生 THz 的方法是***種常見的 THz 產(chǎn)生方法。在 20 世紀(jì)70 年代初，Yajima 以及 Yang 等人分別報(bào)道了利用光整流效應(yīng)在非線性晶體中輻射 THz。當(dāng)***束強(qiáng)激光在非線性介質(zhì)中傳播的時(shí)候，強(qiáng)光在介質(zhì)內(nèi)部通過差頻振蕩會(huì)產(chǎn)生***個(gè)恒定的電極化場(chǎng)，光整流效應(yīng)是***種二階非線性效應(yīng)，可以看作 Pockels 電光效應(yīng)的逆過程。利用光整流效應(yīng)產(chǎn)生 THz 的非線性晶體，***般選擇有 LN 晶體、 碲化鋅晶體ZnTe等閃鋅礦半導(dǎo)體。當(dāng)飛秒激光打在非線性晶體上，基于海森伯不確定原理，脈沖寬度為飛秒量***的脈沖激光包含有較寬的頻譜，在二階非線性過程中，這些不同頻率的光波差頻產(chǎn)生低頻的電磁脈沖，這就是 THz輻射。在此非線性過程中，相位匹配是非常重要的因素。相位匹配要求參與非線性過程的各個(gè)頻率光波的頻率和波失都要守恒，只有滿足此條件，晶體才能有效的輻射處 THz 脈沖。
晶向的ZnTe（碲化鋅晶體）常通過光學(xué)整<span font-size:14px;"="">流來(lái)產(chǎn)生太赫茲振蕩。光學(xué)整流效應(yīng)是***種二階非線性效應(yīng)，也是***種特殊的差頻效應(yīng)。***定寬度的飛秒激光脈沖，擁有非常寬的頻率分量，這些分量間的相互作用（主要是差頻）將會(huì)產(chǎn)生從0到幾個(gè)太赫茲的電磁波。
太赫茲脈沖可通過另***個(gè)自由空間的晶向ZnTe實(shí)現(xiàn)光電探測(cè)。太赫茲光脈沖會(huì)使ZnTe晶體產(chǎn)生雙折射，因此當(dāng)太赫茲光脈沖和可見光脈沖同時(shí)在碲化鋅晶體中直線傳播時(shí)，可見光的偏振狀態(tài)將會(huì)因此發(fā)生變化。使用λ/4波片，偏振分光體，以及平衡光電二極管，我們可以完成對(duì)可見光的偏振狀態(tài)的監(jiān)控，從而得知太赫茲光脈沖的振幅，延遲等各種參數(shù)。而這種監(jiān)測(cè)太赫茲光脈沖的完整電磁場(chǎng)信息（振幅和相位延遲）的能力，是時(shí)域太赫茲光譜儀***具吸引力的特性之***。
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
碲化鋅晶體(ZnTe)是***種具有立方閃鋅礦結(jié)構(gòu)的電光晶體，通常被應(yīng)用于THz波的產(chǎn)生以及探測(cè)。
碲化鋅晶體產(chǎn)品特點(diǎn)：
應(yīng)用于THz產(chǎn)生、探測(cè)和光學(xué)限幅器
晶體純度高 99.995%-99.999%
碲化鋅晶體表面質(zhì)量?jī)?yōu)良
不同厚度ZnTe晶體的TDS測(cè)試數(shù)據(jù)：
產(chǎn)生端ZnTe晶體厚度為0.5mm，探測(cè)端碲化鋅晶體厚度分別為0.5mm，1mm，2mm
產(chǎn)品參數(shù)
ZnTe晶體產(chǎn)品：碲化鋅晶體棒、碲化鋅晶體圓片、碲化鋅晶體窗片和基底
直徑/邊長(zhǎng)： | 1-50 mm |
厚度/長(zhǎng)度： | 0.1-150 mm |
晶向： | (110), (100), (111) |
表面質(zhì)量： | As-cut, 80/50, 60/40 per |
ZnTe晶體常備庫(kù)存（a）
| 晶向 | 尺寸規(guī)格 | 庫(kù)存數(shù)量 |
<110>-cut
| 10mm*10mm*1mm | 3 pcs |
<110>-cut
| 10mm*10mm*0.5mm | 4 pcs |
（a）庫(kù)存每周更新一次
碲化鋅晶體 太赫茲晶體 ZnTe晶體 ZnTe crystal（默認(rèn)裸片發(fā)貨，安裝支架需額外購(gòu)買）
產(chǎn)品介紹
參數(shù)規(guī)格：
晶格結(jié)構(gòu)： | 立方閃鋅礦 |
密度: | 5.633 g/ cm3 |
比熱: | 0.16 J/gK |
帶隙 (300 K)： | 2.25 eV |
***大透過率 (λ =7-12 μm): | 60 % |
***大電阻率： | 109 Ohm*cm |
折射率 (λ =10.6 μm): | 2.7 |
電光系數(shù) r41 (λ =10.6 μm): | 4.0×10-12 m/V |
電阻率： | a). low: < 103 Ohm*cm
b). high: > 109 Ohm*cm |
***大 IR-optic blank 直徑/長(zhǎng)度： | ? 38×20 mm |
***大單晶尺寸 直徑/長(zhǎng)度： | ? 38×20 mm |
滬公網(wǎng)安備31011502016460號(hào)
